高文钰
【姓名】 高文钰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 VLSI技术和MOS器件可靠性研究
【发表文献关键词】 栅介质,超薄栅介质,软击穿,漏电流,模型,性能退化,MOSFET,总剂量辐照效应,氮化,阈值电压漂移模型,SOI MOSFET,完整性,辐照效应,可靠性,高剂量,硼扩散,热退火,电压漂移,多晶硅,辐照...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]高文钰,张兴,田大宇,张大成,王阳元.3—6nm超薄SiO_2栅介质的特性[J]半导体学报.2001,(07)
[2]高文钰,刘忠立,于芳,张兴.多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法[J]半导体学报.2001,(08)
[3]万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元.高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型[J]半导体学报.2001,(10)
[4]万新恒,张兴,谭静荣,高文钰,黄如,王阳元.全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型[J]电子学报.2001,(11)
[5]万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元.低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2002,(01)
[6]许晓燕,谭静荣,高文钰,黄如,田大宇,张兴.3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性[J]电子学报.2002,(02)
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