佐藤義一
【姓名】 佐藤義一
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子辐照缺陷,氢离子注入,硅单晶,注氢,电子辐照,潜伏时间,超高压,透射电子显微镜,注入量,平凸透镜,电子显微镜,氢缺陷,直拉硅,原位加热,单晶薄膜,注入剂量,硅相,密度,氢键,温度范围,
【工作单位】 北海道大学
【曾工作单位】 北海道大学;
【所在地域】
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[1]高愈尊,大贯惣明,高桥平七郎,佐藤義一,竹山太郎.氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响[J]物理学报.1988,(01)
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