佐藤羲一
【姓名】 佐藤羲一
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子辐照缺陷,硅单晶,辐照缺陷,电子辐照,层错,位错环,棒状,生长激活能,辐照剂量,缺陷密度,高氧,单晶,辐照,激活能,日本北海道,超高压电镜,二次缺陷,间隙特性,金属研究所,损伤缺陷,
【工作单位】 北海道大学
【曾工作单位】 北海道大学;
【所在地域】
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[1]高愈尊,高桥平七郎,佐藤羲一,竹山太郎.氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响[J]稀有金属.1989,(01)
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