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党小忠
【姓名】
党小忠
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
量子阱结构,InGaAsP/InP,氮化镓,光致发光谱,汽相,半导,相淀积,体材料,分别限制单量子阱,低压MOVPE,蓝宝石衬底,近场光谱,InGaAsP,化学汽,晶向,InGaN,金属有机物,半导体...
【工作单位】
北京大学
【曾工作单位】
北京大学;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到6篇
[1]凌勇,周赫田,朱星,黄贵松,党小忠,张国义.
GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究
[J]半导体学报.1999,(04)
[2]凌勇,周赫田,朱星,黄贵松,党小忠,张国义.
利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光
[J]电子显微学报.1999,(01)
[3]党小忠,张国义,童玉珍,王舒民.
在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶
[J]半导体光电.1996,(01)
[4]童玉珍,张国义,徐自亮,党小忠,杨志坚,金泗轩,刘弘度,王舒民.
LP-MOCVD生长InGaN单晶薄膜
[J]半导体光电.1996,(02)
[5]张国义,杨志坚,金泗轩,党小忠.
低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED
[J]物理.1997,(06)
[6]邢启江,王舒民,王若鹏,陈娓兮,章蓓,赵沧桑,党小忠,虞丽生.
用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究
[J]半导体学报.1993,(09)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]凌勇;周赫田;朱星;黄贵松;党小忠;张国义;.
利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光
[A].第五届全国STM学术会议论文集.1998-05-01
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朱星
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2
周赫田
北京大学
2
凌勇
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2
童玉珍
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2
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3
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1
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2
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1
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2
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1
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