任绍霞
【姓名】 任绍霞
【职称】
【研究领域】 化学;物理学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光产额,闪烁晶体,钨酸铋钠晶体,钨酸铅晶体,闪烁性能,铅晶体,掺杂,CsI(Tl)晶体,布里奇曼法,BaF_2晶体,引上法晶体生长,钨酸,NaBi(WO_4)_2,坩埚下降法,晶体生长,宏观缺陷,Pb...
【工作单位】 北京玻璃研究院
【曾工作单位】 北京玻璃研究院;
【所在地域】 北京
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[7]李建哲,陈刚,任绍霞.国外掺铈硅酸钆(GSO∶Ce)的研究进展[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[8]郑连荣,孙国利,韦瑾,范宇红,陈刚,任绍霞.消除下降法生长钨酸铅晶体宏观缺陷的工艺研究[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[9]范宇红,韦瑾,任绍霞,陈刚.NaBi(WO_4)_2晶体生长研究[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[10]任绍霞,陈刚,于红智,张凤银,史达威,刘建强.异型大截面BaF_2晶体的生长与性能研究[J]人工晶体学报.2000,(S1)
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[2]张明荣;刘建强;任绍霞;甄西合;葛云程;.CaF_2:Eu闪烁晶体中铕的价态及浓度依赖性[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
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[5]甄西合;任绍霞;史达威;彭明林;葛云程;.直径300mm氟化钙单晶的生长[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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