张爱珍
【姓名】 张爱珍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化硼片,硅表面,硅膜,多晶,扫描电子显微镜,高压氧化,硼硅玻璃,掺杂剂,结构和性质,镀铜,扩散时间,扩散条件,椭偏光,元素硼,多晶硅,磷掺杂,干氧氧化,相前,干涉色,四探针测量,黑孔,氧化温度,折射...
【工作单位】 北京半导体器件研究所
【曾工作单位】 北京半导体器件研究所;
【所在地域】
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[1]张爱珍.氮化硼片源扩散下的硅表面机构[J]半导体技术.1979,(03)
[2]张爱珍.氮化硼片源扩散下的硅表面Si-B相的结构和性质[J]半导体技术.1979,(03)
[3]张爱珍,王阳元.多晶硅薄膜干氧氧化特性的研究[J]半导体学报.1985,(02)
[4]张爱珍,王阳元.多晶硅膜的高压氧化[J]半导体学报.1986,(04)
[5]吴白芦,张爱珍.高压氧化对硅中杂质扩散的影响[J]半导体技术.1987,(06)
[6]张爱珍,朱雅新,王桂新.高压氧化技术[J]微电子学与计算机.1987,(07)
[7]张爱珍.硅的高压氧化[J]半导体技术.1989,(03)
[8]王阳元,陶江,韩汝琦,吉利久,张爱珍.集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型[J]半导体学报.1989,(04)
[9]张爱珍.(100)硅上硅化钽膜氧化性质的研究[J]半导体技术.1990,(02)
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