学者知网节

【姓名】	达斯坦科
【职称】
【研究领域】	工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	端部霍尔离子源,离子束辅助,永久磁场,镀膜,离子束,离子源,两种模式,栅网,电磁场,离子能量,放电电压,光学膜层,工作稳定性,阳极电压,电磁场模式,流密度,等离子体离子源,正偏压,正向偏压,分布特性,
【工作单位】	白俄罗斯无线电信息大学
【曾工作单位】	白俄罗斯无线电信息大学;
【所在地域】

中国期刊全文数据库 共找到3篇

[1]米高园;朱昌;戚云娟;达斯坦科;格拉索夫;扎瓦斯基;.离子束反应溅射沉积SiO_2薄膜的光学特性[J]应用光学.2011,(02)

[2]朱昌;米高园;达斯坦科;格拉索夫;扎瓦斯基;.比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜[J]应用光学.2010,(05)

[3]潘永强,朱昌,方勇,斯瓦德科夫斯基,达斯坦科.用于离子束辅助镀膜的两种模式端部霍尔离子源的比较[J]真空.2004,(05)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]潘永强;朱昌;方勇;斯瓦德科夫斯基;达斯坦科;.两种模式端部霍尔等离子体源的比较[A].中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集.2004-11-01

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