高珊
【姓名】 高珊
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;物理学;
【研究方向】 微电子学
【发表文献关键词】 LDMOS,闩锁效应,高温LDD CMOS集成电路,击穿电压,解析表达式,耐压结构,功率器件,导通电阻,阱区,双扩散MOS晶体管,解析模型,维持电流,CMOS集成电路,分布电阻,基区,横向扩散金属氧化...
【工作单位】 安徽大学
【曾工作单位】 安徽大学;
【所在地域】 安徽合肥
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[8]周星;王建军;高珊;陈军宁;.基于第一性原理计算的ZrO_2材料的掺杂阻变特性[J]半导体技术.2013,(10)
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