秦福文
【姓名】 秦福文
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 蓝光发光半导体材料氮化镓的薄膜生长以及多晶硅薄膜的低温制备及其特性分析
【发表文献关键词】 RHEED,ECR-PEMOCVD,氮化,GaN,蓝宝石衬底,磁控,磁镜,蓝宝石,缓冲层,Al2O3,溅射,外延层,氢等离子体,金属薄膜,溅射系统,等离子体增强,等离子体,反射高能电子衍射,电子回旋共...
【工作单位】 大连理工大学
【曾工作单位】 大连理工大学;吉林大学;
【所在地域】 大连
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[1]唐伟闻;秦福文;王兴达;.TMGa流量对镀Ti的Mo衬底上低温生长GaN薄膜的影响[J]电子世界.2022,(02)
[2]王德君;李剑;朱巧智;秦福文;宋世巍;.SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价[J]固体电子学研究与进展.2009,(02)
[3]郎佳红;秦福文;顾彪;章家岩;.外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析[J]微纳电子技术.2009,(08)
[4]张广英;吴爱民;秦福文;公发全;姜辛;.氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌[J]半导体光电.2009,(04)
[5]王德君;高明超;朱巧智;秦福文;宋世巍;王晓霞;.N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究[J]固体电子学研究与进展.2009,(03)
[6]王德君;王槿;陈素华;朱巧智;秦福文;.TiC/n型4H-SiC欧姆接触的低温退火研究[J]固体电子学研究与进展.2009,(04)
[7]马世猛;徐茵;顾彪;秦福文;孙万峰;.GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析[J]半导体技术.2006,(03)
[8]孙万峰;顾彪;徐茵;秦福文;马世猛;.氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响[J]半导体光电.2006,(02)
[9]郎佳红;秦福文;顾彪;.外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究[J]半导体技术.2006,(08)
[10]王艳艳;秦福文;吴爱民;冯庆浩;.用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜[J]半导体光电.2006,(04)
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[1]支安博;秦福文;白亦真;.AZO薄膜作缓冲层对InN低温沉积的影响[A].2011中国材料研讨会论文摘要集.2011-05-17
[2]顾彪;徐茵;秦福文;王三胜;隋郁;.立方GaN结晶薄膜生长中的ECR等离子体[A].2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
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[1]秦福文;.GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性[A].大连理工大学;.项目经费 24万元.2004-03-31.资助文献数 8 篇
[2]秦福文.掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性[A].大连理工大学.项目经费 10万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
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