赵天绪
【姓名】 赵天绪
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;数学;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 IC可制造性设计与统计最优化技术
【发表文献关键词】 缺陷,故障,关键面积,SiC分立器件,高温,SiC集成电路,IC缺陷,成品率,粒径分布,软故障,硬故障,互连线,大功率,聚类算法,分布参数,缺陷分布,取方,等离子体损伤,粒径,栅氧化层,相关性,半导体...
【工作单位】 宝鸡文理学院
【曾工作单位】 宝鸡文理学院;西安电子科技大学;
【所在地域】 陕西宝鸡
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[1]何俊红;赵天绪;.解非线性方程组的拟牛顿混合遗传算法[J]西北大学学报(自然科学版).2015,(03)
[2]刘淳安;赵天绪;黄梅娟;.基于差分进化算法的智能组卷方法[J]计算机与数字工程.2011,(01)
[3]孙小军;赵天绪;焦建民;.多峰极值优化问题的算法性能分析和比较[J]昆明理工大学学报(理工版).2009,(05)
[4]田东平;赵天绪;.基于Tent映射和Logistic映射的粒子群优化算法(英文)[J]陕西科技大学学报(自然科学版).2010,(02)
[5]田东平;赵天绪;.基于群体适应度方差的自适应粒子群优化算法[J]计算机工程与应用.2010,(18)
[6]刘淳安;赵天绪;刘燚;.智能组卷的优化模型及求解的遗传算法[J]科学技术与工程.2010,(30)
[7]田东平;赵天绪;.基于模糊控制器的粒子群优化算法[J]计算机工程与设计.2010,(24)
[8]田东平;赵天绪;.基于Sigmoid惯性权值的自适应粒子群优化算法[J]计算机应用.2008,(12)
[9]赵天绪,段旭朝,马佩军,郝跃.基于关键面积的冗余集成电路成品率分析[J]半导体学报.2003,(05)
[10]朱志炜,郝跃,赵天绪,张进城.等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
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[1]赵天绪.集成电路缺陷分布模型和容错技术研究[D].西安电子科技大学.1999
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