王存达
【姓名】 王存达
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退火,掺杂,多层膜,软X射线多层膜,界面化学态,周期膨胀,软X射线,C多层膜,CN薄膜,负电容,GaN,结构稳定性,热稳定性,Raman散射,热力学性质,周期结构,膜的制备,退火温度,高热稳定性,半导...
【工作单位】 天津大学
【曾工作单位】 天津大学;北京大学;
【所在地域】 天津
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[1]冯列峰;李杨;王军;从红侠;朱传云;王存达;张国义;.发光二极管的低频电容特性[J]光电子.激光.2009,(12)
[2]冯列峰;李杨;从红侠;王存达;.650nm波长发光器件的电学特性研究[J]天津师范大学学报(自然科学版).2010,(04)
[3]冯列峰;李杨;李丁;王存达;张国义;.半导体激光器在阈值处电学性质突变对应的物理图像[J]光电子.激光.2010,(11)
[4]丛红侠;冯列峰;王军;朱传云;王存达;谢雪松;吕长志;.激光二极管正向电特性的精确检测[J]半导体学报.2006,(01)
[5]王军;冯列峰;朱传云;丛红侠;陈永;王存达;.发光二极管中负电容现象的实验研究[J]光电子·激光.2006,(01)
[6]冯列峰;朱传云;陈永;曾志斌;王存达;.发光二极管中负电容现象的机理[J]光电子·激光.2006,(01)
[7]王存达,曾志斌,张国义,沈君,朱传云.一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J]半导体学报.2003,(12)
[8]李乐,朱传云,沈君,王存达.利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法[J]河北师范大学学报.2003,(03)
[9]曾志斌,朱传云,李乐,赵锋,王存达.GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究[J]光电子·激光.2004,(04)
[10]陈永,冯列峰,朱传云,王存达.发光二极管中负电容的测试及判定[J]河北工业大学学报.2005,(04)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]王存达;.氮化镓基发光器件的电学频率特性[A].天津大学;.项目经费 20万元.2003-03-31.资助文献数 9 篇
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