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刘玉岭
【姓名】
刘玉岭
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;金属学及金属工艺;一般化学工业;
【研究方向】
半导体器件工艺技术与电子材料理论应用开发研究工作
【发表文献关键词】
硅片,研磨液,应力,化学机械抛光,硼酸锂铯,潮解,有机溶剂,表面活性剂,表面状态,抛光液,嵌入式工艺,低k介质,铜电镀,机械作用,铜表面,去除机理,表面张力,晶体开裂,抛光技术,表面质量,分散剂,平坦...
【工作单位】
河北工业大学
【曾工作单位】
河北工业大学;中国人民政治协商会议全国委员会;河北工学院;
【所在地域】
天津
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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265
169
158
43
1744
53758
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到230篇
[1]曲里京;高宝红;王玄石;檀柏梅;刘玉岭;.
铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展
[J]半导体技术.2020,(10)
[2]王玄石;高宝红;曲里京;檀柏梅;牛新环;刘玉岭;.
IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展
[J]半导体技术.2019,(11)
[3]高宝红;檀柏梅;车佳漭;刘宜霖;杨柳;刘玉岭;.
碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理
[J]半导体技术.2018,(04)
[4]刘国瑞;刘玉岭;栾晓东;王辰伟;牛新环;.
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[J]微纳电子技术.2018,(03)
[5]胡轶;何彦刚;刘玉岭;.
FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用
[J]半导体技术.2018,(10)
[6]胡轶;张凯;何彦刚;刘玉岭;.
阻挡层抛光液中助溶剂和H_2O_2对铜残留缺陷的影响
[J]半导体技术.2018,(11)
[7]顾张冰;牛新环;刘玉岭;高宝红;王辰伟;邓海文;.
超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除
[J]稀有金属.2017,(02)
[8]李炎;张宏远;刘玉岭;王傲尘;李洪波;.
铜互连线低磨料化学机械平坦化机制
[J]稀有金属.2015,(11)
[9]顾张冰;刘玉岭;高宝红;王辰伟;邓海文;.
碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响
[J]微纳电子技术.2015,(12)
[10]顾张冰;刘玉岭;高宝红;王辰伟;邓海文;.
GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究
[J]微纳电子技术.2016,(01)
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中国重要会议全文数据库
共找到12篇
[1]李炎;刘玉岭;李洪波;卜小峰;唐继英;樊世燕;.
成膜剂硅溶胶的黏度对涂层性能的影响
[A].2014年全国无机硅化物行业年会暨行业“十三五”发展规划研讨会论文集.2014-11-01
[2]王胜利;武晓玲;刘玉岭;贾小欣;.
铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响
[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01
[3]牛新环;王胜利;檀柏梅;刘玉岭;.
pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响
[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01
[4]王胜利;袁育杰;刘玉岭;.
铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响
[A].2006全国摩擦学学术会议论文集(二).2006-07-01
[5]刘玉岭;檀柏梅;李薇薇;.
ULSI中CMP纳米磨料制备技术的研究
[A].电子专用化学品高新技术与市场研讨会论文集.2004-01-01
[6]檀柏梅;刘玉岭;赵之雯;郝子宇;周建伟;王胜利;.
专用复合型表面活性剂在微电子技术中的应用
[A].电子专用化学品高新技术与市场研讨会论文集.2004-01-01
[7]檀柏梅;牛新环;时慧玲;刘玉岭;崔春翔;.
纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析
[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2).2007-11-01
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[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(7).2007-11-01
[9]田军;刘玉岭;王立发;唐文栋;.
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[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(3).2007-11-01
[10]牛新环;宗思邈;檀柏梅;刘玉岭;.
温度对GaN生长用蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率的影响(英文)
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