陈治明
【姓名】 陈治明
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 电力电子器件及其新材料的研究开发
【发表文献关键词】 多孔碳化硅,漏气率,3C-SiC,碳化硅纳米粉,异质结,液相外延,真空系统,密封结构,碳化硅,生长设备,纳米结构,欧姆接触,真空,人工晶体,硅熔体,外延生长,传输线法,吸收系数,纳米粉,液相,接触电阻...
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;陕西机械学院;中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 陕西西安
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中国期刊全文数据库    共找到121篇
[1]胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明;.偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]人工晶体学报.2020,(11)
[2]王曦;蒲红斌;陈春兰;陈治明;.SiC光触发晶闸管的研制与特性分析[J]电力电子技术.2020,(10)
[3]胡继超;蒲红斌;胡彦飞;陈治明;.表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究[J]电力电子技术.2020,(10)
[4]王曦;蒲红斌;刘青;陈治明;.梯度掺杂对SiC LTT短基区少子输运增强研究[J]电力电子技术.2017,(08)
[5]何映锋;陈治明;.调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟[J]微纳电子技术.2016,(01)
[6]马骏;王曦;蒲红斌;陈治明;.650V/50A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证[J]电力电子技术.2016,(08)
[7]高战军;陈治明;李连碧;赵萌;黄磊;.6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征[J]人工晶体学报.2014,(08)
[8]刘兵;陈治明;封先锋;林生晃;王风府;.SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响[J]人工晶体学报.2013,(10)
[9]朱亚旗;陈治明;陆书龙;季莲;赵勇明;谭明;.基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究[J]红外与毫米波学报.2013,(02)
[10]史瑞;陈治明;.4H-SiC紫外光光电晶体管模拟与分析[J]西安理工大学学报.2011,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到10篇
[1]梁鹏;陈治明;林生晃;蒋东;谢华杰;.SiC晶体生长中籽晶缺陷的延伸及抑制[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
[2]林生晃;陈治明;蒋东;梁鹏;谢华杰;.高阻SiC晶体生长[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
[3]蒋东;陈治明;梁鹏;林生晃;谢华杰;.SiC晶体生长扩径技术[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
[4]谢华杰;陈治明;杨莺;.碳化硅化学机械抛光工艺[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
[5]陈治明;.DC-DC变换器的单片集成[A].中国电工技术学会电力电子学会五届三次理事会议暨学术报告会论文集.2001-11-01
[6]陈治明;.碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[7]张群社;陈治明;李留臣;刘博;蒲红斌;封先锋;.感应加热系统对大直径SiC晶体PVT法生长的影响[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
[8]李青民;陈治明;林涛;李连碧;李佳;.HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[9]李连碧;陈治明;林涛;蒲红斌;李佳;李青民;.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[10]李佳;陈治明;林涛;李连碧;李青民;.HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]陈治明;.SiCGe/SiC异质结光电二极管及其光电特性研究[A].西安理工大学;.项目经费 24万元.2005-03-31.资助文献数 4 篇
[2]陈治明;.在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用[A].西安理工大学;.项目经费 6万元.2003-03-31.资助文献数 2 篇
[3]陈治明;.改善集成开关电容DC-DC变换器的输出特性[A].西安理工大学;.项目经费 21万元.2001-03-31.资助文献数 6 篇
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