秦国刚
【姓名】 秦国刚
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;数学;
【研究方向】 半导体材料、器件原型和物理研究
【发表文献关键词】 GaN,拉曼散射,局域振动,纳米硅晶粒,离子注入,富硅SiO2薄膜,黄光,纳米硅,RF磁控溅射,电致发光,纳米,Er3+,光致发光谱,硅粒子,磁控溅射,铒,富硅氧化硅,氧化硅,Si离子注入,XPS,纳...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;中国高等科学技术中心;中国科学院国际材料物理中心;
【所在地域】 北京
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[2]吴正龙,秦国刚.纳米硅-氧化硅薄膜的XPS测量[J]现代科学仪器.2003,(02)
[3]李宇杰,石鹏博,段然,张伯蕊,乔永平,秦国刚,黄兰.以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒[J]红外与毫米波学报.2004,(03)
[4]秦国刚.纳米硅/氧化硅体系光致发光机制[J]红外与毫米波学报.2005,(03)
[5]刘仕锋,秦国刚,尤力平,张纪才,傅竹西,戴伦.在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥[J]物理学报.2005,(09)
[6]秦国刚,李宇杰.氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型[J]南京大学学报(自然科学版).2005,(01)
[7]王艳兵,孙永科,乔永平,张伯蕊,秦国刚,陈文台,龚义元,吴德馨,马振昌,宗婉华.硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光[J]半导体学报.2000,(07)
[8]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,乔永平,吴恩,朱美栋,秦国刚.碳在GaN中的形态[J]量子电子学报.2000,(05)
[9]孙永科,衡成林,王孙涛,秦国刚,马振昌,宗婉华.Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n~+-Si结构的电致发光研究[J]物理学报.2000,(07)
[10]衡成林,王孙涛,秦国刚,王敬,王永鸿,陈坚邦,濮玉梅,陈晶.GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究[J]光散射学报.2000,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到5篇
[1]张黎莉;秦国刚;.以单晶硅太阳电池为底电池的三结叠层太阳电池效率研究[A].第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集.2017-05-25
[2]姚利;余婷;巴理想;孟虎;方鑫;冉广照;皮孝东;秦国刚;.以硅量子点为发光材料的电致发光研究[A].第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集.2016-06-16
[3]金鹰;秦国刚;张树霖;周国良;俞鸣人;.Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格周期不均匀性对喇曼光谱中折迭声学声子线宽的影响[A].中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上).1991-10-01
[4]张树霖;金鹰;秦国刚;周国良;俞鸣人;.Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格中折迭声学声子的喇曼光谱研究[A].中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上).1991-10-01
[5]金鹰;张树霖;秦国刚;周国良;俞鸣人;.光弹模型计算Ge_xSi_(1-x)应变层超晶格中折迭声学声子的散射强度[A].中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上).1991-10-01
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[1]秦国刚;.硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究[A].北京大学;.项目经费 180万元.2007-03-31.资助文献数 0
[2]秦国刚;.含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移[A].北京大学;.项目经费 36万元.2005-03-31.资助文献数 2
[3]秦国刚;.硅/有机化合物杂化电致发光[A].北京大学;.项目经费 25万元.2004-03-31.资助文献数 2
[4]秦国刚;.硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光[A].北京大学;.项目经费 20万元.2001-03-31.资助文献数 2
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[6]秦国刚;.“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力[A].北京大学;.项目经费 50万元.2008-03-20.资助文献数 0
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