许振嘉
【姓名】 许振嘉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 欧姆接触,俄歇电子谱,二次离子质谱,硅集成电路工艺,砷化镓,互连,势垒的物理机制,快速热退火,薄膜研究,GaAs,半导体器件,晶粒间界,Er3+,SiOx,比接触电阻率,GaN,硅化物,原子,光致发光...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;中国科学技术大学;中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]许振嘉;.忆N.F.Mott教授[J]物理.2006,(06)
[2]卞留芳;张春光;陈维德;许振嘉;屈玉华;刁宏伟;.掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性[J]中国稀土学报.2006,(04)
[3]宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢;.掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究[J]物理学报.2007,(03)
[4]陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉.掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响[J]物理学报.2003,(03)
[5]宋淑芳,周生强,陈维德,朱建军,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究[J]物理学报.2003,(10)
[6]宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,许振嘉.掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光[J]发光学报.2005,(04)
[7]陈维德,陈长勇,宋淑芳,许振嘉.掺稀土半导体光电特性和应用[J]中国稀土学报.2002,(06)
[8]宋淑芳,陈维德,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜光致发光的研究[J]中国稀土学报.2002,(06)
[9]陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉,郭少令.注铒a-SiO_x∶H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系[J]半导体学报.2002,(09)
[10]金高龙，陈维德，许振嘉.CoSi_2可望成为GaAs　MESFET自对准工艺中的栅极材料[J]半导体学报.1994,(08)
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