孙宝银
【姓名】 孙宝银
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;轻工业手工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 同步辐射,X射线,光刻工艺,镂空硅掩模,深层光刻,x射线,曝光剂量,抗蚀剂,同步辐射软X射线,光刻胶显影模型,X射线光刻,同步辐射X射线光刻,Marquardt法,x射线掩模,氮化硅薄膜,显影速率,L...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;中国科学院微电子中心;
【所在地域】 北京
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[1]刘渝珍,石万全,赵玲莉,孙宝银,叶甜春.RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响[J]发光学报.2003,(01)
[2]刘渝珍,石万全,韩一琴,刘世祥,赵玲莉,孙宝银,叶甜春,陈梦真.LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射[J]半导体学报.2000,(05)
[3]谢常青,叶甜春,孙宝银,伊福廷.0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术[J]微细加工技术.1999,(03)
[4]谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,朱樟震.同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究[J]科学通报.1995,(21)
[5]孙宝银,陈梦真,朱樟震,伊福廷.X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用[J]真空科学与技术.1995,(03)
[6]谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,朱樟震.Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography[J]Chinese Science Bulletin.1995,(10)
[7]孙宝银,陈梦真.同步辐射软X射线曝光工艺研究[J]微细加工技术.1993,(04)
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