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[3]王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)
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[4]王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英.RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]半导体学报.2004,(02)
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[9]林理彬,黄万霞,孔梅影.粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷[J]人工晶体学报.2000,(S1)
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[10]廖志君,林理彬,黄万霞,孔梅影.粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷[J]四川大学学报(自然科学版).2000,(05)
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