邹世昌
【姓名】 邹世昌
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 集成电路产业,有力措施,硅薄膜,产业链,有机发光器件,封装,氮化,真空磁过滤弧源沉积,SOI,ta-C薄膜,掺Er-Al_2O_3薄膜,自主知识产权,集成电路,SOI材料,基板温度,光透射谱,氮化硅薄...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院;中国科学院合肥物质科学研究院;
【所在地域】 上海
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[1]邹世昌;.集成电路产业:要注重特色工艺 提升规模效益[J]科技导报.2014,(02)
[2]陶凯;俞跃辉;郑智宏;邹世昌;.离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜[J]半导体技术.2006,(03)
[3]易万兵;张文杰;吴瑾;邹世昌;.TiN薄膜的循环制备和电学性质[J]材料研究学报.2006,(02)
[4]黄卫东,王旭洪,盛玫,徐立强,Frank Stubhan,罗乐,冯涛,王曦,张富民,邹世昌.有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装[J]功能材料与器件学报.2003,(02)
[5]邹世昌.采取有力措施打通集成电路产业链[J]上海综合经济.2003,(05)
[6]宋朝瑞,俞跃辉,邹世昌,张福民,王曦.电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性[J]功能材料与器件学报.2003,(04)
[7]肖海波,张峰,张昌盛,程新利,王永进,陈志君,林志浪,张福民,邹世昌.掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究[J]功能材料与器件学报.2004,(01)
[8]宋朝瑞,俞跃辉,邹世昌,郑志宏.离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究[J]压电与声光.2004,(06)
[9]程新利,林志浪,王永进,肖海波,张峰,邹世昌.光通信用厚膜SOI材料的制备与研究[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
[10]陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌.应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J]半导体学报.2005,(06)
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[2]柳襄怀;郑志宏;王曦;邹世昌;.离子束薄膜合成及其应用[A].华东三省一市第三届真空学术交流会论文集.2000-06-01
[3]柳襄怀;王曦;邹世昌;.材料电子发射性能的控制及应用[A].'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2001-11-01
[4]许东;徐兴龙;林梓鑫;杜根娣;邹世昌;.聚酰亚胺辐照效应的紫外及可见光谱研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[5]王曦;杨根庆;柳襄怀;郑志宏;黄巍;邹世昌;.氙离子束轰击对氮气氛中沉积钛膜的影响[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[6]柳襄怀;陈彪;郑志宏;邹世昌;.离子束增强沉积合成薄膜的梯度特性及其应用效果[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[7]徐宏来;沈鸿烈;周祖尧;杨根庆;邹世昌;.Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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