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[3]杨荣,罗晋生.深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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[4]杨荣,罗晋生,屠荆.应变Si_(1-x)Ge_x沟道PMOSFET空穴局域化研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
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[5]屠荆,罗晋生,杨荣,韩志宇,白树春.半导体断路开关(SOS)特性研究[J]微电子学与计算机.2004,(12)
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[6]屠荆,杨荣,罗晋生,张瑞智.应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟[J]电子器件.2005,(03)
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[7]李文宏,罗晋生.薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析[J]半导体学报.2000,(02)
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[8]贺朝会,李国政,罗晋生,刘恩科.CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析[J]半导体学报.2000,(02)
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[9]郑陶雷,罗晋生.薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究[J]电力电子技术.2000,(02)
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[10]张玉明,张义门,罗晋生.6H-SiC MOS场效应晶体管的研制[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
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