林成鲁
【姓名】 林成鲁
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 SOI和硅基半导体新材料
【发表文献关键词】 硅纳米锥,电子束蒸发,场发射,薄层转移,SOG,硅锥,阳极键合,智能剥离,绝缘层上的硅(SOI),SOI产业化,辐射,纳米,场发射性能,绝缘层上硅,注氧隔离,SOI技术,SIMOX,高k栅介质,智能剥...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到178篇
[1]林成鲁;.表面分析的发展和动态[J]理化检验.物理分册.1979,(04)
[2]门传玲;林成鲁;.脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)
[3]钱聪;张恩霞;贺威;张正选;张峰;林成鲁;王英民;王小荷;赵桂茹;恩云飞;罗宏伟;师谦;.不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)
[4]魏星;王湘;陈猛;陈静;张苗;王曦;林成鲁;.薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术[J]半导体学报.2008,(07)
[5]林成鲁.SOI技术的新进展[J]半导体技术.2003,(09)
[6]谢欣云,刘卫丽,门传玲,林青,沈勤我,林成鲁.多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构[J]半导体学报.2003,(02)
[7]门传玲,徐政,安正华,吴雁军,林成鲁.AlN薄膜室温直接键合技术[J]半导体学报.2003,(02)
[8]章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁.超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能[J]半导体学报.2003,(10)
[9]汪扬,宋志棠,章宁琳,林成鲁.近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展[J]功能材料.2003,(03)
[10]宋华清,石兢,林成鲁.SOG技术及其新进展[J]功能材料.2003,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到5篇
[1]王石冶;刘卫丽;张苗;林成鲁;宋志棠;.SOI在高压器件中的应用[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01
[2]倪如山;林成鲁;.离子注入形成SOI材料的XTEM分析[A].第六次全国电子显微学会议论文摘要集.1990-10-01
[3]倪如山;朱文化;林成鲁;.SIMOX上外延层的TEM研究[A].第七次全国电子显微学会议论文摘要集.1993-04-01
[4]施左宇;朱文化;杨云洁;林成鲁;.SOI中砷注入退火研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[5]朱文化;施左宇;杨云洁;林成鲁;.SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]林成鲁;.SiGe-OI新材料的研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;.项目经费 27万元.2004-03-31.资助文献数 2 篇
[2]林成鲁;.以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;.项目经费 17.3万元.1999-03-31.资助文献数 2 篇
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