刘相华
【姓名】 刘相华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI,SIMON,N+、O+共注入,埋层,离子注入,SOI结构,氢、氧复合注入,埋层增宽,IRIS,氮氧共注入,注氧隔离,XTEM,SIMS,共注入,顶层硅,SIMOX,氧离子,氢氧复合,SIMNI...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院研究生院;香港中文大学;
【所在地域】 上海
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[1]林青,刘相华,朱鸣,谢欣云,林成鲁.N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟[J]核技术.2003,(03)
[2]易万兵,陈猛,陈静,王湘,刘相华,王曦.氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究[J]功能材料与器件学报.2003,(01)
[3]易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J]半导体学报.2004,(07)
[4]刘相华,陈猛,刘忠立,王曦.不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构[J]功能材料与器件学报.2002,(03)
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[1]刘相华.新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2002
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