J. T. Davies
【姓名】 J. T. Davies
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 VDMOS,导通电阻,击穿电压,优化设计,功率晶体管,积累层,单元间距,面积乘积,体扩散,本体,反型层,层厚度,掺杂浓度,模拟程序,外延,维数字,近似线性关系,单元模型,漏区,比电阻,
【工作单位】 利物浦大学
【曾工作单位】 利物浦大学;
【所在地域】
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[1]J. T. Davies,杨功铭.VDMOS功率晶体管最小导通电阻的优化设计[J]微电子学.1988,(03)
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