王海涛
【姓名】 王海涛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延层,位错密度,磷化,液相,位错,掺氮,位错坑,液封直拉,临界时间,直拉单晶,发光管,生长工艺,腐蚀条件,发光材料,蚀坑,无定形,大尺寸,密度测定,小尺寸,GaP,
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】
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[1]李玉增;章新望;王海涛;.LEC-InP中位错显示和密度测定方法研究[J]稀有金属.1985,(06)
[2]李玉增,王海涛.磷化镓液相外延层中位错密度的测定[J]稀有金属.1984,(02)
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[1]王海涛.200mm重掺砷硅衬底APCVD法生长SiO_2薄膜的应力特性研究[D].北京有色金属研究总院.2020
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