久米田稔
【姓名】 久米田稔
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 H膜,悬挂键,a-Si,ESR研究,B掺杂,空穴,价带,定域化,非晶硅太阳电池,R测量,g值,总浓度,微波功率,悬挂键密度,光电性能,共振强度,峰宽,费密能,吸收峰,液氮,
【工作单位】 日本金泽大学
【曾工作单位】 日本金泽大学;
【所在地域】 日本
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 1 0 0 6 145
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]赵谦,王波,严辉,久米田稔,清水立生.退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响[J]物理学报.2004,(01)
[2]陈光华,张仿清,徐希翔,森本章治,久米田稔,清水立生.掺杂的a-Si_(1-x)C_x:H膜的LESR研究[J]物理学报.1986,(04)
更多