朱海波
【姓名】 朱海波
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体光电器件和材料研究
【发表文献关键词】 干法刻蚀,感应耦合等离子体,刻蚀速率,InP,粗糙度,GaN,Cl_2/He,Cl_2/Ar,等离子体刻蚀,工艺研究,自偏压,表面形貌,比接触电阻,表面粗糙度,物理溅射,均方根粗糙度,气体组分,刻蚀气...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]刘北平;李晓良;朱海波;.Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺[J]半导体学报.2006,(07)
[2]朱海波,李晓良.Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究[J]功能材料与器件学报.2005,(03)
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