胡高宏
【姓名】 胡高宏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单级,功率因数校正,变换器,功率MOSFET,低温,阈值电压,通态阻抗,工作模式,拓扑结构,主电路拓扑,特性分析,宽温区,储能电感,实验结果,重要参数,两个参数,实验测试,阀值电压,辅助支路,漂移区,...
【工作单位】 中国科学院电工研究所
【曾工作单位】 中国科学院电工研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张玉林;胡高宏;丘明;齐智平;.IGBT的低温特性及计算机仿真[J]电力电子技术.2006,(01)
[2]张玉林;胡高宏;丘明;.低温电力电子器件、电路及系统[J]电气应用.2006,(03)
[3]胡高宏,张玉林,丘明.一种新型单级PFC研究[J]微计算机信息.2005,(19)
[4]胡高宏,张玉林,丘明,齐志平,冯之钺.低温下功率MOSFET的特性分析[J]微电子学与计算机.2005,(08)
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