清水立生
【姓名】 清水立生
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 H膜,Raman谱,a-Si,悬挂键,ESR研究,氢含量,分子团,B掺杂,空穴,价带,定域化,吸收峰,悬键,非晶硅太阳电池,R测量,P量,键伸展,带尾态,g值,总浓度,Raman光谱,自旋密度,微波功...
【工作单位】 日本金泽大学
【曾工作单位】 日本金泽大学;
【所在地域】 日本
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[1]赵谦,王波,严辉,久米田稔,清水立生.退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响[J]物理学报.2004,(01)
[2]陈光华,张仿清,徐希翔,森本章治,久米田稔,清水立生.掺杂的a-Si_(1-x)C_x:H膜的LESR研究[J]物理学报.1986,(04)
[3]陈光华,张仿清,徐希翔,清水立生.掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量[J]半导体学报.1986,(05)
[4]钟伯强,渡边一郎,清水立生.(Ge_(0.42)S_(0.58))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x玻璃的Raman谱[J]硅酸盐学报.1987,(01)
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