金波
【姓名】 金波
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIMON,埋层,氮氧共注入,SOI,注入剂量,氧氮,上海微系统与信息技术研究所,顶层硅,抗总剂量辐照,材料性能,XTEM,NMOS,SOI技术,SOI材料,SIMS,上界面,中国科学院,SIMOX,...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]金波;王曦;陈静;张峰;程新利;陈志君;.氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响[J]半导体学报.2006,(01)
[2]陈志君;张峰;王永进;金波;陈静;张正选;王曦;.氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗[J]功能材料与器件学报.2006,(01)
[3]易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J]半导体学报.2004,(07)
[4]张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦.注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
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