黄国胜
【姓名】 黄国胜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 计算机软件、先进光刻技术研究
【发表文献关键词】 仿真鸦ArF光刻机,光刻,浸没式,离轴照明,工艺窗口,相移掩模,光刻性能,图形偏移,光刻仿真,下一代光刻,光学系统,光学参数,增强技术,环形照明,光刻机,分辨力,四极照明,线条,波像差,集线,照明方式...
【工作单位】 中国科学院电工研究所
【曾工作单位】 中国科学院电工研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]李艳秋,黄国胜,徐彧,张飞.光学参数配置对ArF光刻性能影响研究[J]电子工业专用设备.2004,(02)
[2]李艳秋,黄国胜.分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用[J]电子工业专用设备.2004,(11)
[3]黄国胜,李艳秋,张飞.离轴照明对ArF浸没式光刻的影响[J]微细加工技术.2005,(01)
[4]黄国胜,李艳秋.相移掩模和离轴照明在ArF浸没式光刻中对工艺窗口的影响(英文)[J]纳米技术与精密工程.2005,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]黄国胜;李艳秋;.掩模台和承片台的运动标准偏差对ArF光学成像质量的影响[A].大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集.2004-06-30
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