董业民
【姓名】 董业民
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI结构,低剂量注水,DSOI,注入能量,局域注氧技术,SOI,SIMON,埋层,自热效应,氮氧共注入,绝缘体上硅(SOI),局域注氧,浮体效应,XTEM,SOI器件,低剂量,体硅,SOI材料,场效...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[2]胡康康;王刘勇;黄亚敏;郎莉莉;董业民;王丁;.FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法[J]微纳电子技术.2023,(08)
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[7]朱雷;常永伟;高楠;苏鑫;董业民;费璐;魏星;王曦;.Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates[J]Chinese Physics Letters.2018,(04)
[8]张宇飞;余超;常永伟;单毅;董业民;.基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计[J]半导体技术.2018,(05)
[9]齐文正;林敏;杨根庆;董业民;黄水根;.基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计[J]半导体技术.2017,(03)
[10]卢仕龙;刘汝萍;林敏;俞跃辉;董业民;.0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证[J]半导体技术.2017,(06)
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