章宁琳
【姓名】 章宁琳
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】 高K材料和器件研究
【发表文献关键词】 PLD,PZT,过渡层,高K栅介质,ZrO_2薄膜,光子晶体,栅介质,Al2O3,ZrO2薄膜,非晶,高k栅介质,薄膜物理学,衬底温度,PZT薄膜,电学性能,PZT铁电薄膜,脉冲激光沉积法,ZrO2,...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁.超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能[J]半导体学报.2003,(10)
[2]汪扬,宋志棠,章宁琳,林成鲁.近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展[J]功能材料.2003,(03)
[3]章宁琳,宋志棠,邢溯,万青,林成鲁.准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究[J]中国激光.2003,(04)
[4]章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁.新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征[J]功能材料与器件学报.2003,(01)
[5]万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,林成鲁.以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜[J]功能材料与器件学报.2002,(02)
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