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[2]李振涛;于芳;刘忠立;赵凯;高见头;杨波;李宁;.SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟[J]信息与电子工程.2011,(06)
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[3]赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;.用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力[J]信息与电子工程.2010,(01)
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[9]李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选,林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]半导体学报.2005,(02)
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[10]张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]半导体学报.2005,(04)
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