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[1]谭利文,王俊,王启元,郁元桓,邓惠芳,王建华,林兰英.双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长[J]半导体学报.2003,(12)
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[2]昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英.双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]半导体学报.2004,(07)
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[3]王启元,林兰英,何自强,龚义元,蔡田海,郁元桓,何龙珠,高秀峰,王建华,邓惠芳.CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料[J]半导体学报.2001,(12)
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[4]王启元,林兰英,王建华,邓惠芳,谭利文,王俊,蔡田海,郁元桓.单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用[J]半导体学报.2002,(01)
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[5]谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英.热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J]半导体学报.2002,(11)
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[6]王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英.Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀[J]半导体学报.1999,(06)
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[7]王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英.借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量[J]半导体学报.1997,(08)
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[8]佘觉觉,曹大年,王维明,昝育德,邓惠芳,王建华,郁元桓.蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析[J]半导体学报.1984,(06)
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