安正华
【姓名】 安正华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 绝缘层上的锗硅,绝缘层上的硅,锗硅,SOI新结构,AlN薄膜,GPSOI,Si on AlN,GeSiOI,SOI,SOIM,键合,吸杂,SOI结构,纳米孔,应力,Cu杂质,绝缘层上硅,高分辨X射线衍...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]门传玲,徐政,安正华,吴雁军,林成鲁.AlN薄膜室温直接键合技术[J]半导体学报.2003,(02)
[2]张苗,吴雁军,刘卫丽,安正华,林成鲁,朱剑豪.SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究[J]中国科学E辑:技术科学.2003,(01)
[3]门传玲,徐政,安正华,林成鲁.新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性[J]同济大学学报(自然科学版).2003,(03)
[4]谢欣云,林青,门传玲,安正华,张苗,林成鲁.SOI新结构——SOI研究的新方向[J]物理.2002,(04)
[5]安正华,张苗,门传玲,谢欣云,沈勤我,林成鲁.一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展[J]物理.2002,(04)
[6]门传玲,徐政,安正华,张苗,林成鲁.制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料[J]功能材料与器件学报.2002,(04)
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