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[1]张明兰;杨瑞霞;王晓亮;胡国新;高志;.高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展[J]半导体技术.2010,(05)
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[2]张明兰;王晓亮;杨瑞霞;胡国新;.AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟[J]半导体技术.2010,(09)
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[3]王晓亮;胡国新;马志勇;肖红领;王翠梅;罗卫军;刘新宇;陈晓娟;李建平;李晋闽;钱鹤;王占国;.MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文)[J]半导体学报.2006,(09)
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[4]冯春;王晓亮;王新华;肖红领;王翠梅;胡国新;冉军学;王军喜;.AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究[J]半导体学报.2008,(07)
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[5]胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]半导体学报.2003,(06)
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[6]王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)
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[7]王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英.RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]半导体学报.2004,(02)
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[8]王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平.Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长[J]半导体学报.2004,(06)
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[9]王晓亮,王翠梅,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,冉军学,钱鹤,曾一平,李晋闽.RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构(英文)[J]半导体学报.2005,(06)
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[10]王晓亮,刘新宇,胡国新,王军喜,马志勇,王翠梅,李建平,冉军学,郑英奎,钱鹤,曾一平,李晋闽.输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文)[J]半导体学报.2005,(10)
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