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陈庆川
【姓名】
陈庆川
【职称】
研究员;
【研究领域】
金属学及金属工艺;电力工业;工业通用技术及设备;
【研究方向】
离子注入技术及镀膜技术的设备研制及工艺开发工作
【发表文献关键词】
PSII,双元检测法,Cr12MoV,升温离子注入,全方位离子注入,工业样机,增强沉积,Ti6Al4V,靶温度,氮注入,表面工程,离子注入,IBED,改进型,物理研究,反冲原子,氮离子注入,温度效应,...
【工作单位】
核工业西南物理研究院
【曾工作单位】
核工业西南物理研究院;
【所在地域】
四川成都
学术成果产出统计表
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核心期刊论文数
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
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下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到30篇
[1]刘克威;陈庆川;聂军伟;詹锐;.
单栅脉冲反应离子束刻蚀二氧化硅实验研究
[J]真空科学与技术学报.2023,(11)
[2]郑才国;陈庆川;聂军伟;李民久;陈美艳;.
等离子抛光石英玻璃表面粗糙度研究
[J]实验室研究与探索.2020,(02)
[3]郑才国;陈庆川;聂军伟;李民久;陈美艳;.
等离子抛光石英玻璃特性研究
[J]真空.2020,(04)
[4]蒋钊;唐德礼;陈庆川;周晖;肖更竭;郑军;马占吉;杨拉毛草;.
真空阴极电弧离子源磁场分析与设计
[J]真空与低温.2019,(03)
[5]李民久;姜亚南;贺岩斌;熊涛;陈庆川;.
基于LCC谐振逆变器的中频磁控溅射电源在等离子体镀膜工艺中的应用
[J]真空.2018,(01)
[6]李民久;熊涛;姜亚南;贺岩斌;陈庆川;.
基于双管正激式变换器的金属表面去毛刺20kV高压脉冲电源
[J]真空.2018,(05)
[7]李民久;贺岩斌;姜亚南;熊涛;陈庆川;.
单极性脉冲负偏压电源的灭弧设计
[J]真空.2017,(01)
[8]桑瑞鹏;陈庆川;周晖;蒋钊;张延帅;.
固体润滑轴承用9Cr18不锈钢离子注入与磁控溅射改性真空摩擦学研究
[J]真空科学与技术学报.2015,(05)
[9]王洪国;陈庆川;陈健;韩大凯;尹星;许泽金;沈丽茹;金凡亚;.
高功率脉冲磁控溅射试验平台设计及放电特性研究
[J]真空.2012,(05)
[10]聂军伟;陈庆川;黄琪;冯春堂;赵哲;耿少飞;.
射频电感耦合离子源放电室内放电等离子体的二维磁流体模拟研究
[J]真空.2013,(01)
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中国重要会议全文数据库
共找到14篇
[1]陈美艳;陈庆川;沈丽如;金凡亚;徐泽金;.
聚变堆面对等离子体材料与热沉间符合梯度涂层的工艺研究
[A].TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2009-08-15
[2]黄琪;陈庆川;冯春堂;李民久;.
大面积射频条形离子源研制
[A].2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2010-06-30
[3]杨发展;沈丽如;颜复秀;陈庆川;王世庆;.
不同基体上沉积类金刚石膜的摩擦磨损性能研究
[A].中国核科学技术进展报告(第二卷)——中国核学会2011年学术年会论文集第7册(核电子学与核探测技术分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、核聚变与等离子体物理分卷).2011-10-11
[4]许泽金;陈庆川;童洪辉;耿漫;.
应用PⅢ和等离子体氧化的SMART-CUT工艺研究
[A].2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
[5]陈庆川;童洪辉;崔西蓉;耿漫;王经权;.
多功能复合离子镀膜机的研制
[A].2000年材料科学与工程新进展(上)——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
[6]童洪辉;陈庆川;霍岩峰;王珂;穆莉兰;冯铁民;赵军;严兵;耿漫;.
全方位离子注入及增强沉积工业机及应用
[A].'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2001-11-01
[7]许泽金;陈庆川;童洪辉;耿漫;.
用于改进Smart-Cut工艺的氢-氧复合注入探讨
[A].'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2001-11-01
[8]陈庆川;霍岩锋;曾旭初;刘平;冯铁民;童洪辉;.
叠加式直流脉冲偏压电源在离子镀设备中的应用
[A].'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2001-11-01
[9]陈庆川;曾旭初;许泽金;朱剑豪;.
大面积均匀微波等离子体源的研制及其在SOI半导体材料制备工艺中的应用
[A].2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2004-08-01
[10]陈庆川;王珂;许择金;刘华英;徐丽云;.
ECR微波等离子体增强沉积技术制备功能梯度涂层
[A].2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2004-08-01
更多
承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到1个
[1]陈庆川;.
低温等离子体沉积技术制备聚变堆面对等离子体材料与热沉间复合梯度涂层的工艺研究
[A].核工业西南物理研究院;.项目经费 38万元.2007-03-31.资助文献数
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