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[4]刘伟,顾书林,叶建东,朱顺明,秦锋,周昕,刘松民,胡立群,张荣,施毅,郑有炓.Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质[J]半导体学报.2004,(07)
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[5]谢自力,张荣,修向前,毕朝霞,刘斌,江若琏,沈波,顾书林,韩平,朱顺明,施毅,郑有炓.GaN纳米线材料的特性和制备技术[J]纳米技术与精密工程.2004,(03)
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[6]谢自力,张荣,毕朝霞,刘斌,修向前,顾书林,江若琏,韩平,朱顺明,沈波,施毅,郑有炓.InN材料及其应用[J]微纳电子技术.2004,(12)
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[7]谢自力;张荣;修向前;刘斌;江若琏;顾书林;韩平;赵红;朱顺明;施毅;郑有炓;.InN纳米线材料的特性和制备技术[J]纳米技术与精密工程.2005,(04)
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[8]程雪梅,郑有炓,刘夏冰,臧岚,朱顺明,韩平,罗志云,江若琏.Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性[J]半导体学报.2000,(07)
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[9]江若琏,罗志云,陈卫民,臧岚,朱顺明,刘夏冰,程雪梅,陈志忠,韩平,王荣华,郑有斗.Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器[J]光电子·激光.2000,(01)
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[10]朱顺明,江宁,臧岚,韩平,刘夏冰,程雪梅,江若琏,郑有,胡晓宁,方家熊.Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的生长[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
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