谭长华
【姓名】 谭长华
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;计算机硬件技术;
【研究方向】 小尺寸器件物理及可靠性物理的研究
【发表文献关键词】 复合,二次碰撞电离,超薄,热载流子,应力诱导漏电流,电子注入,MOSFET,一次碰撞电离,pMOSFET,直接隧穿电流,nMOSFET,应力模式,寿命预测模型,比例差分,陷阱,栅氧化物,界面陷阱密度,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王彦刚;许铭真;谭长华;段小蓉;.基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J]半导体学报.2006,(04)
[2]赵要;许铭真;谭长华;.热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[3]石凯;许铭真;谭长华;.衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响[J]半导体学报.2006,(06)
[4]赵要;许铭真;谭长华;.一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型[J]半导体学报.2006,(07)
[5]贾高升;许铭真;谭长华;段小蓉;.用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷[J]固体电子学研究与进展.2006,(04)
[6]霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究(英文)[J]半导体学报.2003,(01)
[7]刘东明,杨国勇,王金延,许铭真,谭长华.0.275μm nMOST's中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响(英文)[J]半导体学报.2003,(02)
[8]霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)[J]半导体学报.2003,(02)
[9]杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.热载流子应力下超薄栅p MOS器件氧化层陷阱电荷的表征(英文)[J]半导体学报.2003,(03)
[10]杨国勇,霍宗亮,王金延,毛凌锋,王子欧,谭长华,许铭真.超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制(英文)[J]半导体学报.2003,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]许铭真;马金源;谭长华;谭映;王洁;靳磊;.用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]谭映;王洁;马金源;靳磊;许铭真;谭长华;.DSP在BXT2931半导体器件参数测试仪中的应用[A].全国第二届信号处理与应用学术会议专刊.2008-10-12
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