阙端麟
【姓名】 阙端麟
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 硅材料科学的科研教学工作
【发表文献关键词】 氧沉淀,单晶硅,铜,沉淀规律,CZ硅,红外扫描仪,直拉硅,长大机制,硅中氧,氮化硅薄膜,热处理,PECVD,氧复合,电子束,成核,高碳,多孔硅,蓝光发射,快速热处理,少子寿命,直拉单晶硅,氮,少数载流...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;浙江大学海纳集团半导体材料有限责任公司;
【所在地域】 杭州
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[7]龚灿锋;席珍强;王晓泉;杨德仁;阙端麟;.热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响[J]太阳能学报.2006,(03)
[8]花聚团;杨德仁;席珍强;倪利红;阙端麟;.快速热处理法制备单晶硅太阳能电池[J]材料热处理学报.2006,(06)
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[10]夏庆锋;杨德仁;马向阳;阙端麟;.SOI材料的缺陷及其表征[J]材料导报.2007,(03)
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[2]崔灿;杨德仁;马向阳;樊瑞新;阙端麟;.直拉单晶硅片魔幻洁净区中氧沉淀行为[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[3]符黎明;杨德仁;马向阳;阙端麟;.高温热处理过程中快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀的促进作用[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[4]李东升;杨德仁;周成瑶;阙端麟;.多孔硅/Alq光电特性[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[5]吴冬冬;杨德仁;席珍强;阙端麟;.大直径单晶硅中过渡族金属对洁净区的影响[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[6]李明;杨德仁;马向阳;崔灿;阙端麟;.高压热处理对直拉硅中的热双施主的影响[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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